DMT3006LPB-13

Diodes Incorporated

DMT3006LPB-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 11A/35A POWERDI50

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.1mOhm @ 11.5A, 10V, 6mOhm @ 20A, 10V
Basis-TeilenummerDMT3006
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 35A (Tc), 14A (Ta), 50A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePowerDI5060-8 (Type S)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)