DMT3006LDK-7

Diodes Incorporated

DMT3006LDK-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 17.1A/46.2A 8DFN

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1320 pF @ 15 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
Max. Verlustleistung1.1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäuseV-DFN3030-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)