DMT2005UDV-7

Diodes Incorporated

DMT2005UDV-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 24V 50A POWERDI3333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 14A, 10V
Basis-TeilenummerDMT2005
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2060pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Power - Max900mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8 (Type UXC)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)