DMT15H017LPS-13

Diodes Incorporated

DMT15H017LPS-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17.5mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3369 pF @ 75 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.4A (Ta), 58A (Tc)
Max. Verlustleistung1.3W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101