DMT10H032LDV-7

Name: DMT10H032LDV-7
Brand: Diodes Incorporated

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 10A, 10V
Basis-Teilenummer	DMT10
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	683pF @ 50V
Hersteller	Diodes Incorporated
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Power - Max	1W (Ta)

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)