DMS2220LFDB-7

Diodes Incorporated

DMS2220LFDB-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 2.8A, 4.5V
Basis-TeilenummerDMS2220
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds632 pF @ 10 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
Max. Verlustleistung1.4W (Ta)

Mechanisch

Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2020-6 (Type B)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)