DMPH2040UVTQ-13

Diodes Incorporated

DMPH2040UVTQ-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 5.6/11.7A TSOT26

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 8.9A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds834 pF @ 10 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.6A (Ta), 11.7A (Tc)
Max. Verlustleistung1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-GehäuseTSOT-26

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)