DMPH1006UPSQ-13

Diodes Incorporated

DMPH1006UPSQ-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 15A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs124 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6334 pF @ 10 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Max. Verlustleistung3.2W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101