DMP510DLQ-7

Diodes Incorporated

DMP510DLQ-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5Ohm @ 100mA, 5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C196mA (Ta)
Max. Verlustleistung520mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)