DMP3011SPDW-13

Diodes Incorporated

DMP3011SPDW-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 30V 12.1A PWRDI50

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 11.5A, 10V
Basis-TeilenummerDMP3011
Konfiguration2 P-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2380pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.1A (Ta), 38.2A (Tc)
Power - Max1.4W (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePowerDI5060-8 (Type UXD)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)