DMP2170U-13

Diodes Incorporated

DMP2170U-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds303 pF @ 10 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Ta)
Max. Verlustleistung780mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101