DMP2110UFDB-13

Diodes Incorporated

DMP2110UFDB-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 2.8A, 4.5V
Basis-TeilenummerDMP2110
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.7nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds443pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A (Ta)
Power - Max820mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2020-6 (Type B)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)