DMP2100UFU-7

Diodes Incorporated

DMP2100UFU-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN

Aktiv6-UFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 3.5A, 10V
Basis-TeilenummerDMP2100
Konfiguration2 P-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds906pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A
Power - Max900mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2030-6 (Type B)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)