DMP2018LFK-7

Diodes Incorporated

DMP2018LFK-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN

Aktiv6-PowerUDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 3.6A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4748 pF @ 10 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 200µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.2A (Ta)
Max. Verlustleistung1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-PowerUDFN
Hersteller-GehäuseU-DFN2523-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)