DMP2012SN-7

Diodes Incorporated

DMP2012SN-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 400mA, 4.5V
Basis-TeilenummerDMP2012
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds178.5 pF @ 10 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C900mA (Ta)
Max. Verlustleistung500mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSC-59-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)