DMP10H400SK3-13

Diodes Incorporated

DMP10H400SK3-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1239 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
Max. Verlustleistung42W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)