DMP1055UFDB-7

Diodes Incorporated

DMP1055UFDB-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 12V 3.9A 6UDFN

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.8nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1028pF @ 6V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.9A
Power - Max1.36W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2020-6 (Type B)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101