DMP1011LFVQ-13

Diodes Incorporated

DMP1011LFVQ-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.7mOhm @ 12A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds913 pF @ 6 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-6V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 19A (Tc)
Max. Verlustleistung1.05W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)