DMNH6035SPDW-13

Diodes Incorporated

DMNH6035SPDW-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 15A, 10V
Basis-TeilenummerDMNH6035
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds879pF @ 25V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Tc)
Power - Max2.4W (Ta), 68W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePowerDI5060-8 (Type R)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)