DMN95H2D2HCTI

Diodes Incorporated

DMN95H2D2HCTI

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB

AktivTO-220-3 Full Pack, Isolated TabAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2Ohm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1487 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung950 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Max. Verlustleistung40W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Hersteller-GehäuseITO-220AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)