DMN90H8D5HCTI

Diodes Incorporated

DMN90H8D5HCTI

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

AktivTO-220-3 Full Pack, Isolated TabAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds470 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Tc)
Max. Verlustleistung30W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Hersteller-GehäuseITO-220AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)