DMN65D8LT-7

Diodes Incorporated

DMN65D8LT-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R

AktivSOT-523Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 115mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds24 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C210mA (Ta)
Max. Verlustleistung300mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-523
Hersteller-GehäuseSOT-523

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)