DMN65D8LDW-7

Diodes Incorporated

DMN65D8LDW-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Aktiv6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 115mA, 10V
Basis-TeilenummerDMN65
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds22pF @ 25V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180mA
Power - Max300mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSOT-363

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)