DMN63D8LV-7

Diodes Incorporated

DMN63D8LV-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

AktivSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 250mA, 10V
Basis-TeilenummerDMN63
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds22pF @ 25V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C260mA
Power - Max450mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseSOT-563

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)