DMN63D1LDW-13

Diodes Incorporated

DMN63D1LDW-13

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Obsolet6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 500mA, 10V
Basis-TeilenummerDMN63
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 25V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250mA
Power - Max310mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSOT-363

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)