DMN62D4LDW-13

Diodes Incorporated

DMN62D4LDW-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363

Aktiv6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 200mA, 10V
Basis-TeilenummerDMN62
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.04nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds41pF @ 30V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C261mA (Ta)
Power - Max330mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSOT-363

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)