DMN62D1LFDQ-7

Diodes Incorporated

DMN62D1LFDQ-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3

Aktiv3-PowerUDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 100mA, 4V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds36 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400mA (Ta)
Max. Verlustleistung500mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101