DMN61D8LVTQ-7

Name: DMN61D8LVTQ-7
Brand: Diodes Incorporated

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8Ohm @ 150mA, 5V
Basis-Teilenummer	DMN61
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.74nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12.9pF @ 12V
Hersteller	Diodes Incorporated
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA

Drain-Source-Spannung	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	630mA
Power - Max	820mW

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)