DMN53D0L-7

Diodes Incorporated

DMN53D0L-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds46 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
Max. Verlustleistung370mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)