DMN52D0LT-13

Diodes Incorporated

DMN52D0LT-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R

AktivSOT-523Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA (Ta)
Max. Verlustleistung500mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-523
Hersteller-GehäuseSOT-523

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)