DMN3401LVQ-7

Diodes Incorporated

DMN3401LVQ-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563

AktivSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 590mA, 10V
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA (Ta)
Power - Max490mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseSOT-563

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101