DMN33D9LV-13

Diodes Incorporated

DMN33D9LV-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563

AktivSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 250mA, 10V
Basis-TeilenummerDMN33
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds48pF @ 5V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA (Ta)
Power - Max430mW (Ta)

Mechanisch

Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseSOT-563

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)