DMN33D8LT-7

Diodes Incorporated

DMN33D8LT-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523

AktivSOT-523Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 10mA, 4V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds48 pF @ 5 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C115mA (Ta)
Max. Verlustleistung240mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-523
Hersteller-GehäuseSOT-523

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)