DMN3300UQ-7

Diodes Incorporated

DMN3300UQ-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds193 pF @ 10 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta)
Max. Verlustleistung700mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Hersteller-GehäuseSOT-23-3

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101