DMN30H4D0LFDE-13

Name: DMN30H4D0LFDE-13
Brand: Diodes Incorporated

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN

Aktiv6-PowerUDFNAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4Ohm @ 300mA, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	187.3 pF @ 25 V
Hersteller	Diodes Incorporated
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	550mA (Ta)
Max. Verlustleistung	630mW (Ta)

Package / Case	6-PowerUDFN
Hersteller-Gehäuse	U-DFN2020-6 (Type E)

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)