DMN30H14DLY-13

Diodes Incorporated

DMN30H14DLY-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 300V 210MA SOT89

AktivTO-243AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs14Ohm @ 300mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds96 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C210mA (Ta)
Max. Verlustleistung900mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-243AA
Hersteller-GehäuseSOT-89-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)