DMN3061SW-7

Diodes Incorporated

DMN3061SW-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R

AktivSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 3.1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds278 pF @ 15 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3.3V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A (Ta)
Max. Verlustleistung490mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-GehäuseSOT-323

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)