DMN3060LVT-13

Diodes Incorporated

DMN3060LVT-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TSOT23-6

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 3.1A, 10V
Basis-TeilenummerDMN3060
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds395pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Ta)
Power - Max830mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-GehäuseTSOT-23-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)