DMN3035LWN-13

Diodes Incorporated

DMN3035LWN-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 5.5A 8VDFN

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.8A, 10V
Basis-TeilenummerDMN3035
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds399pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäuseV-DFN3020-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)