DMN3032LFDB-7

Diodes Incorporated

DMN3032LFDB-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.8A, 10V
Basis-TeilenummerDMN3032
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.2A
Power - Max1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2020-6 (Type B)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)