DMN3022LFG-13

Diodes Incorporated

DMN3022LFG-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333

Aktiv8-PowerLDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Basis-TeilenummerDMN3022
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds481pF @ 15V, 996pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.6A (Ta), 15A (Tc)
Power - Max1.96W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerLDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8 (Type D)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)