DMN3020UTS-13

Diodes Incorporated

DMN3020UTS-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 15A 8TSSOP

Aktiv8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1304 pF @ 15 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
Max. Verlustleistung1.4W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-TSSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)