DMN3020UFDFQ-7

Diodes Incorporated

DMN3020UFDFQ-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1304 pF @ 15 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.4A (Ta), 15A (Tc)
Max. Verlustleistung730mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101