DMN3016LDV-13

Diodes Incorporated

DMN3016LDV-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 21A POWERDI3333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 7A, 10V
Basis-TeilenummerDMN3016
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1184pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)