DMN3013LDG-7

Name: DMN3013LDG-7
Brand: Diodes Incorporated

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333

Aktiv8-PowerLDFNAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.3mOhm @ 4A, 8V
Basis-Teilenummer	DMN3013
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 15V
Hersteller	Diodes Incorporated
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.5A (Ta), 15A (Tc)
Power - Max	2.16W (Ta)

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)