DMN2991UT-7

Diodes Incorporated

DMN2991UT-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R

AktivSOT-523Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 100mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds21.5 pF @ 15 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Ta)
Max. Verlustleistung280mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-523
Hersteller-GehäuseSOT-523

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)