DMN2991UDR4-7

Diodes Incorporated

DMN2991UDR4-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A 6DFN

Aktiv6-XFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs990mOhm @ 100mA, 4.5V
Basis-TeilenummerDMN2991
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.28nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14.6pF @ 16V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
Power - Max380mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseX2-DFN1010-6 (Type UXC)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)