DMN2710UVQ-7

Diodes Incorporated

DMN2710UVQ-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 0.92A SOT563

AktivSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 600mA, 4.5V
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds42pF @ 16V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C920mA (Ta)
Power - Max500mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseSOT-563

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101