DMN26D0UT-7

Diodes Incorporated

DMN26D0UT-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

AktivSOT-523Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 100mA, 4.5V
Basis-TeilenummerDMN26
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14.1 pF @ 15 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C230mA (Ta)
Max. Verlustleistung300mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-523
Hersteller-GehäuseSOT-523

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)