DMN24H11DS-7

Diodes Incorporated

DMN24H11DS-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11Ohm @ 300mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds76.8 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung240 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C270mA (Ta)
Max. Verlustleistung750mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101